特許
J-GLOBAL ID：200903059435518419
金属薄膜の形成方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-070348
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283441
出願日： 1993年03月29日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、CVD法を用いて平坦性に優れたAl金属薄膜を製造する製造方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明に係るAl金属薄膜の形成方法は、酸素成分を含んだ反応ガス雰囲気中で、TiON膜を形成する第1の工程と、O2 との反応性の高い物質のガスを供給して、酸化物を生じさせ、原料ガス雰囲気中から酸素原子の除去を行う第2の工程と、有機Al化合物原料ガスを供給し、化学気相成長法によって、TiON膜上にAlを堆積させてAl膜を形成する第3の工程とを有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
Arガスと、N2 ガスと、O2 ガスとが所定の分圧比で混合されている反応ガス雰囲気中でTiターゲットを用いた反応性スパッタによって基板上にTiON膜を形成する第1の工程と、Al成分を含んだ原料ガスを供給して化学気相成長法により、前記TiON膜上にAl金属薄膜を形成する第2の工程とを有することを特徴とする金属薄膜の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/3205
