特許

J-GLOBAL ID：200903059438418270

不揮発性強誘電体メモリ及びその製造方法

発明者： ヒ・ボック・カン
出願人/特許権者： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-175689
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186511
出願日： 1998年06月23日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：

【要約】【課題】 セルプレートラインを形成させずに強誘電体メモリを実現させて、工程の単純化及び高集積化を図るようにした。【解決手段】 本発明は、単位セルを構成する二つのトランジスタのゲート電極を共通のワードラインに接続せずに、それぞれ別々のワードラインに接続させ、強誘電体キャパシタを対応するトランジスタのソースと他方のトランジスタのゲート電極が接続されているワードラインとの間に接続した。

請求項（抜粋）：

ソース電極、ドレイン電極、及び何れか一本のワードラインに連結されるゲート電極を有する第1トランジスタと、一方の電極は第1トランジスタのソース電極に連結され、他方の電極は第1トランジスタのゲート電極が接続されたワードラインでない他のワードラインに連結される第1強誘電体キャパシタと、ソース電極、ドレイン電極、及び第1強誘電体キャパシタの他方の電極が連結された他のワードラインに連結されるゲート電極を有する第2トランジスタと、一方の電極は第2トランジスタのソース電極に連結され、他方の電極は第1トランジスタのゲートが連結されたワードラインに連結される第2強誘電体キャパシタとにより単位セルが構成されることを特徴とする不揮発性強誘電体メモリ。

IPC (5件)：

H01L 27/10 451 ,  G11C 11/22 ,  G11C 14/00 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4件)：

H01L 27/10 451 ,  G11C 11/22 ,  G11C 11/34 352 A ,  H01L 27/10 651

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 不揮発性強誘電体メモリ装置及びその駆動方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-363147   出願人：三星電子株式会社