特許

J-GLOBAL ID：200903059439991364

半導体ウェハ、半導体素子、その製造方法及び半導体素子の製造に用いる成長装置

発明者： 西尾 譲司 ,  藤本 英俊
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-250401
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092883
出願日： 1995年09月28日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：

【要約】【目的】 発光ダイオードの発光効率を高く、半導体レーザのしきい値を低くできる半導体素子及び、その製造のために高温の均一加熱を安定して行える気相成長装置であって、かつ抵抗加熱体の寿命が飛躍的に伸ばせる。【構成】 サセプタ上に設置された基板を加熱する抵抗加熱体の導電部の隙間に少なくとも2分割以上の絶縁体が接触挿入されていることを特徴とする。また、このような装置を用いて半導体薄膜中の炭素濃度を成長方向に低くなるように分布させることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に形成される半導体薄膜が炭素を含有し、その炭素が基板側が少なく、薄膜表面側が多くなるようにしたことを特徴する半導体ウェハ。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18