特許
J-GLOBAL ID：200903059440429416

異方性薄膜評価法及び評価装置

発明者：
廣沢 一郎

廣沢 一郎 について

, 
田ノ岡 大輔

田ノ岡 大輔 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について

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日本レーザ電子株式会社

日本レーザ電子株式会社 について


代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-084167
公開番号（公開出願番号）：特開2001-272307
出願日： 2000年03月24日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：
【要約】【課題】 薄膜試料の光学的異方性を高速にしかも正確に測定評価する。【解決手段】 光源より発した光をレンズにより所定の径を有する平行光線にし、さらに、偏光子により一定の偏光状態にした光を、薄膜試料3の表面に入射した際に発生する反射光を位相子7、検光子8を通過させた後、その光強度を2次元CCD光検出器6により検出する。そして、光強度分布をモニター8で表示して、薄膜の光学的異方性分布を測定評価する。この際、面内の測定を広範囲で同時に行うため、複数組の光源と検出器を並列に配置して、平行移動機能を備えた試料ステージを備えるようにしてもよい。
請求項（抜粋）：
レンズ、偏光子、及び位相子を用いて形成され所定の径及び偏光状態を有する光を薄膜試料に入射した際発生する反射光を、前記薄膜試料の下流側に配置された検光子よりも下流側に配置された2次元光強度検出器によって検出して、該検出結果である光強度分布に基づいて前記薄膜材料の光学的異方性の面内分布を評価するようにしたことを特徴とする異方性薄膜評価法。
IPC (5件)：
G01M 11/00 ,  G01J 4/04 ,  G01N 21/21 ,  G02F 1/13 101 ,  H01S 3/00
FI (5件)：
G01M 11/00 T ,  G01J 4/04 A ,  G01N 21/21 Z ,  G02F 1/13 101 ,  H01S 3/00 F
Fターム (25件)：
2G059AA02 ,  2G059BB16 ,  2G059BB20 ,  2G059DD12 ,  2G059EE02 ,  2G059EE04 ,  2G059EE05 ,  2G059EE10 ,  2G059EE12 ,  2G059FF01 ,  2G059GG01 ,  2G059GG04 ,  2G059JJ03 ,  2G059JJ11 ,  2G059JJ19 ,  2G059JJ20 ,  2G059KK04 ,  2G059PP04 ,  2G086EE10 ,  2H088FA12 ,  2H088FA30 ,  2H088HA03 ,  2H088MA20 ,  5F072AA01 ,  5F072YY20
引用特許：
審査官引用 (2件)

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