特許

J-GLOBAL ID：200903059442489645

半導体発光素子

発明者： 木村 壮一
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-004797
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190895
出願日： 1992年01月14日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：

【要約】【目的】 発光径を小さくし、かつコンタクト抵抗を十分に小さくすることができる発光ダイオードを提供する【構成】 N型InP基板1上に、活性層を含むダブルヘテロ接合と、その上のN型InPブロック層5及びN型InGaAsPコンタクト層6とを成長させ、コンタクト層6をエッチングして除去部11を形成する。除去部11を含めたコンタクト層6上からP型の不純物を拡散し、除去部11の周辺領域及び除去部11の下側領域にP型の不純物拡散層8を形成する。【効果】 電流はP型に反転した拡散領域にのみ流れるため発光径は小さく保たれる。電極9とのコンタクト部がコンタクト層6を含む拡散層8上に形成できるのでコンタクト抵抗は十分に小さくなる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板上に、第1導電型の第1の半導体層、活性層よりなる第2の半導体層、第2導電型の第3の半導体層、第1導電型の第4の半導体層及びコンタクト層よりなる第5の半導体層が順次形成され、前記第5の半導体層に所定の表面領域を厚さ方向の全域に亘って除去してなる除去部が形成され、前記第5の半導体層における前記除去部の周辺の領域、前記第4の半導体層の前記除去部の下側部分における厚さ方向の全域及び前記第3の半導体層の前記除去部の下側部分における厚さ方向の除去部側の一部域に互いに連続する第2導電型の不純物拡散領域が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。