特許

J-GLOBAL ID：200903059442702403

半導体装置及びその製造方法

発明者： 片岡 有三
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-280298
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130849
出願日： 1993年10月14日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】 バリア層上に真空中で連続してAl系膜を形成できるようにする。【構成】 Al(アルミニウム)を主成分とする金属層4を電極配線とする半導体装置において、該金属層4がTa(タンタル)を主成分とする金属層3を介してシリコン半導体領域1と電気的に接続されている。

請求項（抜粋）：

Al(アルミニウム)を主成分とする金属層を電極配線とする半導体装置において、該金属層がTa(タンタル)を主成分とする金属層を介してシリコン半導体領域と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/90 D ,  H01L 21/88 N