特許

J-GLOBAL ID：200903059451539345

基板上の薄膜における引張応力および圧縮応力ならびに機械的問題を制御するための方法および装置

発明者： シリル・カブラル・ジュニア ,  ローレンス・アルフレッド・クレヴェンガー ,  フランソワ・マックス・デュルレ ,  ホン・チー=チョン
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-252435
公開番号（公開出願番号）：特開平8-158036
出願日： 1995年09月29日
公開日（公表日）： 1996年06月18日
要約：

【要約】【課題】 従来の技術における問題を解決するための、基板上に皮膜を形成する方法、およびそのための装置を提供する。【解決の手段】 基板上に化学式ABxを有する合金を形成する。Aは溶媒金属、Bは溶質である。次に基板および合金を酸化、窒化および炭素化雰囲気のいずれかでアニーリングして、溶質と反応させ、溶媒中に溶質の酸化物、窒化物および炭化物の沈澱をそれぞれ生成させる。溶質は、生成した沈澱が溶媒の機械的特性を制御するのに使用できるように選択する。

請求項（抜粋）：

(a)基板上に化学式ABx(Aは溶媒金属、Bは溶質)を有する合金を形成する工程と、(b)上記溶質と反応して、それぞれ上記A中に上記Bの酸化物、窒化物、および炭化物の沈澱を形成する、酸化、窒化、または炭化雰囲気のいずれかで、上記基板および上記合金をアニーリングする工程とを含む、基板上に薄膜を形成する方法。

IPC (16件)：

C23C 8/06 ,  C04B 41/87 ,  C30B 25/06 ,  C30B 29/06 ,  C30B 29/08 ,  C30B 29/42 ,  C30B 33/02 ,  G02B 1/10 ,  G11B 5/60 ,  G11B 7/135 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

G02B 1/10 Z ,  H01L 21/88 B