特許

J-GLOBAL ID：200903059451733990

半導体モジュール

発明者： 坂元 秀光 ,  神谷 純生 ,  金田 敬右 ,  山下 征士
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-309985
公開番号（公開出願番号）：特開2002-118195
出願日： 2000年10月11日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子で発生する熱によるクラックの発生を防止するとともに半導体素子で発生した熱の放熱性の向上を図る。【解決手段】 多孔質材料からなる多孔質層30aと、半導体素子20が載置された緻密層30bとを備える絶縁基板30の多孔質層30aを、放熱板10に含浸させた。この結果、絶縁基板30と放熱板10との接合性が高くなり、半導体素子20が発熱しても、絶縁基板30と放熱板10との熱膨張率の差によるクラックの発生を防止することができる。また、絶縁基板30と放熱板10とは共に熱伝導率の高い材料からなり、しかも、絶縁基板30の多孔質層30aは放熱板10に含浸されているので、半導体素子20で発生した熱を放熱板10で効率よく放熱することができる。

請求項（抜粋）：

熱伝導率の高い材料からなる放熱板と、一方の面側に半導体素子が載置され他方の面側の所定の深さまで前記放熱板に含浸されてなる絶縁基板と、を備える半導体モジュール。

IPC (4件)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/14 ,  H01L 23/373 ,  H01L 23/473

FI (4件)：

H01L 23/12 J ,  H01L 23/14 M ,  H01L 23/36 M ,  H01L 23/46 Z

Fターム (6件)：

5F036AA01 ,  5F036BA10 ,  5F036BA23 ,  5F036BB08 ,  5F036BB41 ,  5F036BD14