圧電デバイスの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-116699
公開番号（公開出願番号）：特開平10-308640
出願日： 1997年05月07日
公開日（公表日）： 1998年11月17日
要約：

【要約】【課題】高周波に対応する圧電デバイスにおいて、圧電基板の薄層化を可能とするデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】貫通孔3を設けた補助基板2に圧電基板1と直接接合する。補助基板2の貫通孔3に充填材4を充填硬化させ、補助基板2を支持体として圧電基板1を研磨し、次いで、充填材4を取り除いた後、圧電基板の両主面に励振電極5を形成する。この構成にすることにより、補助基板を支持体として圧電基板の研磨などの作業を行え、圧電基板の薄層化加工やその後のハンドリングを容易にする。

請求項（抜粋）：

主面に励振部を有する圧電基板と、該圧電基板に直接接合されて励振部対応面に開口する開口部を有する補助基板と、から成る圧電デバイスの製造方法において、(a)補助基板に圧電基板の励振部に対応する位置に該励振部を開口部が取り囲む貫通孔を形成する工程と、(b)補助基板と圧電基板とを直接接合する工程と、(c)貫通孔に充填材を充填して硬化させる工程と、(d)直接接合した状態で、圧電基板を所要厚みに研磨する工程と、(e)貫通孔内の充填材を除去する工程と、(f)圧電基板の励振部に励振電極を形成する工程と、を具備することを特徴とする圧電デバイスの製造方法。

IPC (4件)：

H03H 3/02 , H01L 41/09 , H03H 9/17 , H03H 9/19

FI (4件)：

H03H 3/02 B , H03H 9/17 F , H03H 9/19 A , H01L 41/08 C

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