特許

J-GLOBAL ID：200903059457050542

アルミニウム化合物の原子層成長方法

発明者： 柊元 宏 ,  吉野 淳二 ,  石崎 守 ,  加納 信生
出願人/特許権者： 凸版印刷株式会社 ,  柊元 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-233107
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074724
出願日： 1991年09月12日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：

【要約】【構成】アルミニウムを含む化合物の薄膜を原子層単位で成長させる原子層成長方法において、所定温度に加熱した基板上に、アルミニウム原料の水素化アルキルアルミニウムを含むガスと、相手原料ガスとを交互に供給することを特徴とするアルミニウム化合物の原子層成長方法である。【効果】本発明によれば、アルミニウムの原料ガスとして水素化アルキルアルミニウムを用いるので、アルミニウムの原子層成長に自己停止機能を実現できる。故に、基板に対して相手原料ガスと交互に供給することにより、原子層単位でアルミニウム化合物の薄膜を形成できるようになる。

請求項（抜粋）：

アルミニウムを含む化合物の薄膜を原子層単位で成長させる原子層成長方法において、ジメチルヒドリドアルミニウムをはじめとする水素化アルキルアルミニウムAlRm Hn (Rはアルキル基、mとnは1または2でその和は3)をアルミニウム原料として使用し、相手原料ガスと交互に、所定温度に加熱した基板上に供給することを特徴とするアルミニウム化合物の原子層成長方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/365