特許
J-GLOBAL ID：200903059461435955
シリコンウエーハの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
桑井 清一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-282148
公開番号（公開出願番号）：特開平5-097568
出願日： 1991年10月02日
公開日（公表日）： 1993年04月20日
要約：
【要約】【目的】 酸化膜耐圧の高い単結晶シリコンウェーハを得る。【構成】 MCZ法により単結晶シリコンウェーハを引き上げる場合、該引き上げ直後のシリコンウェーハの酸素濃度が低くなるように該磁場印加条件を設定するとともに、その引き上げ速度を1.2mm/分以下とする。
請求項（抜粋）：
磁場印加チョクラルスキ法によるシリコンウェーハの製造方法にあって、引き上げ直後の該シリコンウェーハの酸素濃度が1.2×1018/cm3以下となるように磁場印加条件を設定するとともに、該シリコンウェーハを、1.2mm/分以下の引き上げ速度で引き上げたことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
IPC (3件)：
C30B 15/00
, C30B 29/06
, H01L 21/208
