特許

J-GLOBAL ID：200903059462156472

多結晶薄膜の製造方法および酸化物超電導導体の製造方法

発明者： 飯島 康裕 ,  田辺 信夫
出願人/特許権者： 株式会社フジクラ
代理人 (1件)： 志賀 正武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-293464
公開番号（公開出願番号）：特開平6-145977
出願日： 1992年10月30日
公開日（公表日）： 1994年05月27日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、基材の成膜面に対して直角向きに結晶軸のc軸を配向させることができ、成膜面と平行な面に沿って結晶粒の結晶軸のa軸とb軸を揃えることができ、結晶配向性に優れた多結晶薄膜を提供することを目的とする。【構成】 本発明は、スパッタリングによりターゲットの構成粒子を叩き出して基材上に堆積させ、基材上に多結晶薄膜を形成する方法において、前記構成粒子を基材上に堆積させる際に、イオン源が発生させたイオンビームを基材の成膜面に対して斜め方向から50〜60度の範囲の入射角度で照射しながら前記構成粒子を基材上に堆積させるものである。【効果】 本発明は構成粒子を効率的に活性化できる結果、基材の成膜面に対してc軸配向性に加えてa軸配向性とb軸配向性をも向上させた粒界傾角30度以下の多結晶薄膜を得ることができる。

請求項（抜粋）：

スパッタリングによりターゲットの構成粒子を叩き出して基材上に堆積させ、基材上に多結晶薄膜を形成する方法において、前記構成粒子を基材上に堆積させる際に、イオン源が発生させたイオンビームを基材の成膜面に対して斜め方向から50〜60度の範囲の入射角度で照射しながら前記構成粒子を基材上に堆積させることを特徴とする多結晶薄膜の製造方法。

IPC (10件)：

C23C 14/46 ,  C01B 13/14 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C01G 3/00 ZAA ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/54 ,  C30B 29/22 501 ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA ,  H01B 12/06 ZAA

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-054757
  
• 特開平4-072062
  
• 特開平2-311398
  
• 特開平4-331795