特許
J-GLOBAL ID：200903059462367414
有機金属気相成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-292562
公開番号（公開出願番号）：特開平11-126754
出願日： 1997年10月24日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：
【要約】【課題】有機金属気相成長において、同一成長温度および成長圧力下で、キャリア濃度分布の均一性を向上させる方法を提供することにある。【解決手段】成長速度の制御により、又は、成長速度とV/III 比を制御することにより、成長薄膜のキャリア濃度分布を制御し、これにより各薄膜の結晶成長の際に、キャリア濃度の面内分布が均一となる最適な成長速度で成長させる。
請求項（抜粋）：
半絶縁性GaAs基板上に、一層もしくは複数の薄膜を成長させる有機金属気相成長方法において、成長速度の制御により、成長薄膜のキャリア濃度分布を制御することを特徴とする有機金属気相成長方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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