特許
J-GLOBAL ID：200903059463943168
セラミック多層配線基板とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-170595
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013755
出願日： 1992年06月29日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：
【要約】【目的】 セラミック多層配線基板表面における薄膜配線層および入出力ピン、はんだバンプ、封止キャップ等の接続信頼性を向上する。【構成】 表層セラミックグリ-ンシ-トの貫通孔導体金属部面積を内層部セラミックグリ-ンシ-トの貫通孔導体金属部面積より大きくして内層部の貫通孔導体金属との位置ずれを吸収し、焼成後、表面を平坦に研磨して薄膜配線層、入出力ピン、はんだバンプ、封止キャップ等を密着性良く接続し、接続強度を高める。
請求項（抜粋）：
セラミック多層配線基板において、上記セラミック多層配線基板の表裏面に露出する導体パタ-ン面をセラミック表面と同一平面にあるようにしたことを特徴とするセラミック多層配線基板。
IPC (2件)：
引用特許：
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