特許
J-GLOBAL ID：200903059465255404
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-271798
公開番号（公開出願番号）：特開2002-083879
出願日： 2000年09月07日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：
【要約】【課題】 基板ノイズ電流の影響を防止するためのトリプルウエル構造の形成工程を簡略化し、製造コストを低減する。【解決手段】 このホトレジスト層7をマスクとして、ボロン(11B+)のイオン注入(第1のイオン注入)、リン(31P+)のイオン注入(第2のイオン注入)を連続して行う。リン(31P+)はボロン(11B+)に比べてシリコン基板中に深く注入する。トリプルウエル構造に必要な第1のNウエル領域9は高加速エネルギーのイオン注入で形成するようにしたので、段差Sを形成する必要がない。このため、段差の形成工程、段差を基準とするマスク合わせ工程が不要である。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にゲート酸化膜、フィールド酸化膜を形成する工程と、半導体基板上の第1の領域に一導電型不純物をイオン注入する第1のイオン注入工程と、前記第1の領域に逆導電型不純物を前記一導電型不純物よりも深くイオン注入する第2のイオン注入工程と、前記第1の領域と離間された半導体基板上の第2の領域に逆導電型不純物を前記第2のイオン注入工程に比して浅くイオン注入する第3のイオン注入工程と、を有し、前記第1乃至第3のイオン注入工程により、第1の逆導電型ウエル領域の表面に一導電型ウエル領域を形成すると共に、該第1の逆導電型ウエル領域と離間された第2の逆導電型ウエル領域を形成し、その後、前記一導電型ウエル領域に逆導電チャネル型のMOSトランジスタを形成し、前記第2の逆導電型ウエル領域に一導電チャネル型のMOSトランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/8238
, H01L 27/092
5F048AA00
, 5F048AA07
, 5F048AA09
, 5F048AB01
, 5F048AB03
, 5F048AC03
, 5F048BA01
, 5F048BB04
, 5F048BB05
, 5F048BE02
, 5F048BE03
, 5F048BE05
, 5F048BE06
, 5F048BG12
