特許
J-GLOBAL ID：200903059476434203
トランスの励磁突流抑制回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森田 雄一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-213402
公開番号（公開出願番号）：特開平10-066253
出願日： 1996年08月13日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：
【要約】【課題】 抑制用の抵抗をトランスの電源側に接続して電源投入時の励磁突流を減少させた場合に、通常状態での消費電力の増加、発熱、電圧降下等が発生する。【解決手段】 トランス2の電源側に接続されている抵抗3と並列にリレー接点6からなるバイパス回路を接続するとともに、トランス2の電源側に接点励磁用の電磁コイル7を並列接続する。トランス2に電源投入直後は、抵抗3のバイパス回路が開いた状態に保たれて、抵抗3が有効に作用し励磁突流を抑制する。次いで、トランス2の鉄心が飽和解除して励磁突流が減少してくるとともに接点励磁用の電磁コイル7が作動してバイパス回路を閉じる。
請求項（抜粋）：
電源とトランスとの間に直列に抵抗を接続して構成されたトランスの励磁突流抑制回路において、前記抵抗と並列に接続されたバイパス回路と、トランスの電源側に接点励磁用の電磁コイルを並列接続するとともにリレー接点を前記バイパス回路に接続して励磁状態でバイパス回路を閉じるようにした電磁リレー回路と、を備えたことを特徴とするトランスの励磁突流抑制回路。
IPC (2件)：
H02H 9/02
, G05F 1/10 304
H02H 9/02 D
, G05F 1/10 304 M
