特許
J-GLOBAL ID：200903059477685994
半導体発光素子とその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-103402
公開番号（公開出願番号）：特開平6-314855
出願日： 1993年04月30日
公開日（公表日）： 1994年11月08日
要約：
【要約】【目的】 半導体発光素子とその製造方法に関し、平坦で他の光機能素子と積層集積化が容易で、微小共振器を容易に形成することができ、無しきい値動作が可能な高信頼低消費電力の半導体発光素子を提供する。【構成】 第1導電型半導体基板1上に第1導電型半導体多層膜反射鏡2を形成し、その上に大きいハンドギャップを有する半導体層からなるブロック層4を形成し、このブロック層4の一部を除去して開口を形成し、開口を有するブロック層4の上の全面に共振器構造13を形成し、この共振器構造13のブロック層4の上に形成された部分を除去して平坦化し、その上に反対導電型半導体多層膜反射鏡14を形成し、光の非出射面に電極16を形成し、光の出射面に電極17と無反射コーティング18を形成する。第1導電型半導体多層膜反射鏡2の上に共振器メサを形成した後、その周囲にブロック層を形成することもできる。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体基板上に第1導電型半導体多層膜反射鏡と半導体微小共振器と反対導電型半導体多層膜反射鏡とコンタクト層が積層され、該半導体微小共振器の側面が大きいバンドギャップの半導体によって覆われていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
前のページに戻る
