特許
J-GLOBAL ID：200903059480912659
半導体光素子および製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-246214
公開番号（公開出願番号）：特開平8-111565
出願日： 1994年10月12日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：
【要約】【目的】 漏れ電流の発生を防止する構造のメサストライプ領域を有する素子特性の良い半導体光素子およびこれを容易に作製し得る製造方法を提供することを目的とする。【構成】 半導体基板1上に活性層2、クラッド層3およびコンタクト層4を順次積層し、絶縁体マスク5を通してエッチングを行ってメサストライプ領域Mを形成する。マスク5を除去し、半絶縁性高抵抗半導体からなる電流阻止層6をメサストライプ領域Mを挟む両側部に少なくともコンタクト層4の高さを上回る層厚分で形成する。メサストライプ領域Mおよびその周辺部を露出する半導体マスク7を通してコンタクト層4上の電流阻止層6に対してエッチングを施し、コンタクト層4を底面とし、電流阻止層6を側面とした溝構造を形成する。この溝構造の側面である電流阻止層6を絶縁体8で被覆し、コンタクト層4上に電極10を形成する。
請求項（抜粋）：
第1の導電性をを有する半導体基板上に設けられた活性層と、該活性層上に設けられた第2の導電性を有するクラッド層と、該クラッド層上に設けられた第2の導電性を有するコンタクト層からなるメサストライプ領域と、該メサストライプ領域を挟む両側の領域に設けられ、かつ、少なくとも前記メサストライプ領域のコンタクト層の高さを上回る層厚を有する半絶縁性高抵抗半導体からなる電流阻止層とを具備することを特徴とする半導体光素子。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 21/306
, H01L 33/00
