特許

J-GLOBAL ID：200903059484146160

発光ダイオード素子及びその製造方法

発明者： 橋本 昌育 ,  片山 修治
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社 ,  鳥取三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-076823
公開番号（公開出願番号）：特開平9-270528
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：

【要約】【課題】 光取り出しの多い発光ダイオード素子を得る。【解決手段】 表面または底面と略平行な発光接合を有するガリウム燐発光ダイオード素子において、その側面に段差を設け、その側面の高さの2/3以上において自然破断面を設けたものである。また本発明は、表面若しくは底面に略平行な発光接合を有したガリウム燐ウエハの厚みの1/3以下の浅い溝を設け、その浅い溝に対向する表面若しくは底面に傷を設け、その傷または溝を設けた部分で個々の素子に分割するものである。

請求項（抜粋）：

表面または底面と略平行な発光接合を有するガリウム燐発光ダイオード素子において、その側面に段差を設け、その側面の高さの2/3以上において自然破断面を設けたことを特徴とする発光ダイオード素子。