特許
J-GLOBAL ID：200903059488679791
太陽電池素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-334136
公開番号（公開出願番号）：特開平6-181323
出願日： 1992年12月15日
公開日（公表日）： 1994年06月28日
要約：
【要約】【構成】 半導体基板の複数の所定箇所にスルーホールを形成して太陽電池素子を形成する太陽電池素子の製造方法において、前記半導体基板の複数の所定箇所をエッチングで薄肉にし、しかる後、この薄肉部分にレーザ光を照射してスルーホールを形成する。【効果】 半導体基板の所定箇所のみの厚みを薄くすることから、その所定箇所が極端に薄くすることができ、レーザ光を照射してスルーホールを形成する際に径の小さいスルーホールを形成でき、もって受光面積を増大させて、太陽電池の特性を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の複数の所定箇所にスルーホールを形成して太陽電池素子を形成する太陽電池素子の製造方法において、前記半導体基板の複数の所定箇所をエッチングで薄肉にし、しかる後、この薄肉部分にレーザ光を照射してスルーホールを形成することを特徴とする太陽電池素子の製造方法。
引用特許：
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