特許

J-GLOBAL ID：200903059501806501

半導体デバイス及びその製造方法

発明者： セサレ ロンシスバーレ
出願人/特許権者： コンソルツィオ ペル ラ リセルカ スーラ マイクロエレクトロニカ ネル メッツォジオルノ
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-067634
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005866
出願日： 1991年03月08日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)の逆方向降伏電圧を高める。【構成】 基板とその上のエピタキシャル層との間の陽極接合11の縁部を上方に立上げてチップ表面にて終端させ、この終端部に不活性層を被着し、さらにこの層の上に電界プレートを被着したことを特徴としている。

請求項（抜粋）：

第1導電形の基板と、該基板上に反対導電形のエピタキシャル層とを具えているチップ内に形成され、前記基板とエピタキシャル層とが陽極接合を構成する絶縁ゲートバイポーラトランジスタ型の半導体デバイスにおいて、前記チップの周辺部に沿ってトップ-ボトム側部隔離領域(5)が形成され、前記陽極接合(11) の側部が上方にはね返り、チップの表面領域にて終端し、該終端個所にSiO2層(15)及びデバイスの電界プレートを構成する金属層を順次被覆するようにしたことを特徴とする半導体デバイス。