特許

J-GLOBAL ID：200903059506325145

半導体レーザ装置およびその製造方法

発明者： ▲高▼山 徹 ,  内藤 浩樹 ,  清水 裕一
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-106289
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299767
出願日： 1992年04月24日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】【目的】 動作電流値の低い半導体レーザ装置を提供する。【構成】 In0.5(Ga1-XAlX)0.5P層からなる活性層4の主面の少なくとも一方の側にその活性層に接して形成された一導電型のIn0.5(Ga1-Y1AlY1)0.5P第一光ガイド層5と、その第一光ガイド層5上に形成された一導電型のIn0.5(Ga1-Y2AlY2)0.5P第二光ガイド層6と、その第二光ガイド層6上に形成された逆の導電型でストライプ状の窓7aを有するIn0.5(Ga1-ZAlZ)0.5P層7と、上記ストライプ状の窓部を含むIn0.5(Ga1-ZAlZ)0.5P層7上に形成された一導電型のIn0.5(Ga1-Y3AlY3)0.5P層9とを有し、Al混晶比を決めるX,Y1,Y2,Y3およびZの間に、Z>Y3>Y2≦X≦0NでかつY1>Y2の関係が成立するようにした。

請求項（抜粋）：

In0.5(Ga1-XAlX)0.5P層からなる活性層の主面の少なくとも一方の側にその活性層に接して形成された一導電型のIn0.5(Ga1-Y1AlY1)0.5P第一光ガイド層と、その第一光ガイド層上に形成された一導電型のIn0.5(Ga1-Y2AlY2)0.5P第二光ガイド層と、その第二光ガイド層上に形成された逆の導電型でストライプ状の窓を有するIn0.5(Ga1-ZAlZ)0.5P層と、前記ストライプ状の窓部を含む前記In0.5(Ga1-ZAlZ)0.5P層上に形成された一導電型のIn0.5(Ga1-Y3AlY3)0.5P層とを有し、Al混晶比を決めるX,Y1,Y2,Y3およびZの間に、Z>Y3>Y2≧X≧0NでかつY1>Y2の関係が成立するようにしたことを特徴とする半導体レーザ装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-250685
  
• 特開昭63-136586
  
• 特開平3-053578