特許
J-GLOBAL ID：200903059506478340
強誘電体薄膜の形成方法及びその成膜装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三澤 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-122458
公開番号（公開出願番号）：特開平6-330304
出願日： 1993年05月25日
公開日（公表日）： 1994年11月29日
要約：
【要約】【目的】 チタンをその構成元素として含む強誘電体薄膜を反応性スパッタリング法により生産性良く成長させることができる強誘電体薄膜の形成方法及びその成膜装置を提供すること。【構成】 本強誘電体薄膜の形成方法は、第1及び第2のカソード5,6を同一の真空チャンバー2の中に備え、第1のカソード5は直流電源8を用いてスパッタリングを行い、第2のカソード6は高周波電源9を用いてスパッタリングを行って、反応性スパッタリング法によりチタンをその構成元素として含む強誘電体薄膜を形成するものである。これにより、第2のカソード6による高周波電源9を用いたスパッタリングを行うことにより、スパッタリングプラズマ放電を持続させることができ、第1のカソードによる直流電源8を用いたスパッタリングを行うことにより、成膜速度が速くなる。
請求項（抜粋）：
チタンをその構成元素として含む強誘電体薄膜を、反応性スパッタリング法により得る強誘電体薄膜の形成方法において、少なくとも複数のスパッタリングカソードを同一成膜室中に備え、前記複数のカソードのうち少なくとも一つのカソードは高周波電源を用いてスパッタリングを行い、他のカソードは直流電源を用いてスパッタリングを行うことを特徴とする強誘電体薄膜の形成方法。
IPC (5件)：
C23C 14/34
, B01J 19/08
, C01G 23/00
, C23C 14/44
, H01B 3/12 302
