特許
J-GLOBAL ID：200903059507236952
バイナリフォトマスクブランクを製造するためのイオンビーム蒸着法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小田島 平吉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-584086
公開番号（公開出願番号）：特表2004-530923
出願日： 2002年04月19日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：
<400nmの選択されたリソグラフィ波長用のバイナリフォトマスクブランクを製造するためのイオンビーム膜蒸着法が記載され、この膜が、単一層または多層構成のMOxCyNz化合物から本質的になり、Mがクロム、モリブデン、タングステン、またはタンタルまたはそれらの組合せから選択される。
請求項（抜粋）：
400ナノメートルより小さいリソグラフィ波長用のバイナリフォトマスクブランクを作製するための複合イオンビーム蒸着法であって、MOxCyNzの(式中、Mがクロム、モリブデン、タングステン、またはタンタルまたはそれらの組合せから選択される)化合物の少なくとも1つの層を基板上に、
(a)ガス群からのイオンによってクロム、モリブデン、タングステン、またはタンタルおよび/またはそれらの化合物をイオンビーム蒸着法によって、および、
(b)ガス群の補助供給源からの二次イオンビームによって前記基板を衝撃させ、補助供給源のガスからの衝撃ガスイオンとターゲットから前記基板上に蒸着された材料との化学結合によって前記層が形成されることによって、
蒸着させる工程、を含み、
xが約0.00〜約3.00の範囲であり、
yが約0.00〜約1.00の範囲であり、および
zが約0.00〜約2.00の範囲である、
複合イオンビーム蒸着法。
IPC (5件)：
G03F1/08
, C23C14/06
, C23C14/32
, C23C14/46
, H01L21/027
G03F1/08 G
, C23C14/06 K
, C23C14/32 F
, C23C14/46 A
, H01L21/30 502P
2H095BA07
, 2H095BB00
, 4K029BA41
, 4K029BC08
, 4K029BD00
, 4K029CA08
, 4K029EA05
