特許

J-GLOBAL ID：200903059513914580

電界効果型トランジスタ及びその製造方法

発明者： 東 賢一
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-009579
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221298
出願日： 1994年01月31日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【構成】 半導体基板1上にゲート絶縁膜3を介して第1のポリシリコン膜3と高融点シリサイド膜7とから成るポリサイド構造のゲート電極8の高融点金属シリサイド膜7の側面に第2のポリシリコン膜6が形成されている。【効果】 高融点金属のシリサイド膜とポリシリコン膜との界面が大きくなり、密着性が向上し、また、WSix中へのSiの拡散がWSixの底面の他に、側面からも起こるので、ゲート酸化膜中のSiの吸い上げが抑えられ、ゲート酸化膜の劣化が抑えられる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にゲート絶縁膜を介して第1のポリシリコン膜と高融点金属のシリサイド膜とから成るポリサイド構造のゲート電極を有する電界効果型トランジスタにおいて、上記高融点金属のシリサイド膜の側面に第2のポリシリコン膜が形成されていることを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 L