特許

J-GLOBAL ID：200903059515415220

半導体レーザの製造方法

発明者： 北村 光弘
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 本庄 伸介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-271006
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097591
出願日： 1992年09月14日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】 製造歩留まりに優れた波長可変レーザの製造方法を提供する。【構成】 TTG-LDの製造方法において、メサストライプの高さを1μm以下として埋め込み成長時の異常成長をなくし、さらにクラッド層などを選択的に成長することにより電極の形成を容易にした。また選択成長によりメサストライプを形成した後、全面に絶縁膜を形成し、さらに全面にミリングなどの加工を加えることによりメサ上面にマスクを残し、同時に底面部、メサ側面の絶縁膜を除去できる。それらによって素子構造の再現性、特性歩留まりが大幅に向上する。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体層上に発光再結合する活性層およびチューニング層を少なくとも含む半導体積層構造を形成する工程と、エッチングなどの手段により該半導体積層構造にメサストライプを形成する工程と、前記メサストライプ上面を除いて第2導電型半導体層を形成する工程とを含む半導体レーザの製造方法において、前記メサストライプ形成工程では前記メサストライプの高さを1μm以下に形成し、前記メサストライプ上面に選択的に第1導電型半導体層を形成する工程と、そのメサストライプ上面の第1導電型半導体層上、および前記第2導電型半導体層上の少なくとも一部の領域に互いに独立した電極をそれぞれ形成する工程とを含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。