特許

J-GLOBAL ID：200903059519203197

フォトレジスト中に選択された別個のパターンを記録する干渉リソグラフィーパターンを変調するプロセス

発明者： ホッブス,ダグラス エス.
出願人/特許権者： ホログラフィック リソグラフィー システムズ,インコーポレイティド
代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-501645
公開番号（公開出願番号）：特表2002-501669
出願日： 1997年06月10日
公開日（公表日）： 2002年01月15日
要約：

【要約】通常のフォトリソグラフィー法によって形成された第1暴露が、フォトレジストのエッチングマスク層(22)にネガ潜像を作成し、多数ビームの干渉リソグラフィー法によって形成された第2暴露を変調するために次にその像を使用することによる、二重暴露プロセスが開示される。第2暴露によってパターン形成され、暴露されたフォトレジスト材料の現像の後に形成された周期的な表面のレリーフ構造(80)は、最初の暴露によって画定された領域(52)に限定され、これらの領域の外側のフォトレジスト材料(54)は、変調されず又は周期的構造(80)を有せず、以降のエッチングプロセスのマスクとして使用するのに適する。

請求項（抜粋）：

照射源とフォトレジスト層の間に第1パターンを配置し、前記第1パターンは、第1選択領域、第2選択領域、及び第3選択領域を有し、前記第1選択領域と第2選択領域は、前記第3選択領域によって境界を形成され、 前記照射源からの照射にフォトレジストを暴露し、ここで、その照射は、前記第1パターンの前記第1選択領域と前記第2選択領域を透過しないが、その照射は、前記第1パターンの第3選択領域を透過し、 ここで、そのフォトレジスト層は、前記第1パターンの第1選択領域に対応する第1サブ領域は暴露されず、前記第1パターンの第2選択領域に対応する第2サブ領域は暴露されず、前記第1パターンの第3選択領域に対応する第3サブ領域は暴露され、 フォトレジスト層を反応性条件に暴露し、その反応性条件への暴露が前記第3サブ領域のフォトレジスト層を抵抗性状態に変化させ、 フォトレジスト層を、干渉性照射の周期的パターンに暴露し、前記第1と第2のサブ領域のフォトレジスト層を、周期パターンの露出スポットによって変化させ、ここで、前記第3サブ領域は前記干渉性照射に実質的に抵抗性であり、 フォトレジスト層を現像し、前記第1と第2のサブ領域の中の前記暴露スポットのみのフォトレジスト材料を除去する、 ことを含む、リソグラフィー加工用の基材の上のフォトレジスト層にエッチングマスクを形成する方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

FI (2件)：

G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 528