特許

J-GLOBAL ID：200903059519508249

二次元画像検出器およびその製造方法

発明者： 和泉 良弘 ,  寺沼 修
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-100853
公開番号（公開出願番号）：特開平11-295144
出願日： 1998年04月13日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】 アクティブマトリクス基板上に300°C以下の低温でCdTeやCdZnTeなどの半導体材料を形成することで、応答性がよく、動画像にも対応できる二次元画像検出器およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 画素配列層を含むアクティブマトリクス基板と、電極部および半導体層を含む対向基板とを備えてなる二次元画像検出器において、前記アクティブマトリクス基板の画素配列層と、前記対向基板の半導体層とが対向するように両基板が配置されるとともに、該両基板は導電粒子によって接続されてなり、前記導電粒子は、前記アクティブマトリクス基板上に形成された第1の接着剤層と前記対向基板上に形成された第2の接着剤層との両者により固着されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

格子状に配列された電極配線と、各格子点毎に設けられた複数のスイッチング素子と、該スイッチング素子を介して前記電極配線に接続される画素電極を含む電荷蓄積容量とからなる画素配列層と、前記画素配列層のほぼ全面に対向して形成される電極部と、前記画素配列層および電極部の間に形成され、光導電性を有する半導体層とを備えてなる二次元画像検出器において、前記画素配列層を含むアクティブマトリクス基板と、前記電極部および半導体層を含む対向基板とを備えており、前記アクティブマトリクス基板の画素配列層と、前記対向基板の半導体層とが対向するように両基板が配置されるとともに、該両基板は導電粒子によって接続されてなり、前記導電粒子は、前記アクティブマトリクス基板上に形成された第1の接着剤層と前記対向基板上に形成された第2の接着剤層との両者により固着されていることを特徴とする二次元画像検出器。

IPC (8件)：

G01J 1/02 ,  G01T 1/24 ,  G02F 1/133 550 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/146 ,  H01L 27/14 ,  H01L 29/786 ,  H04N 5/32

FI (9件)：

G01J 1/02 Q ,  G01J 1/02 N ,  G01T 1/24 ,  G02F 1/133 550 ,  G02F 1/136 500 ,  H04N 5/32 ,  H01L 27/14 E ,  H01L 27/14 K ,  H01L 29/78 622