特許

J-GLOBAL ID：200903059519603420

高速成膜が可能な光記録媒体誘電体保護層形成用導電性焼結スパッタリングターゲット材

発明者： 三島 昭史 ,  渡辺 和男 ,  森 理恵
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 富田 和夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-330083
公開番号（公開出願番号）：特開2001-152325
出願日： 1999年11月19日
公開日（公表日）： 2001年06月05日
要約：

【要約】【課題】 高速成膜が可能な光記録媒体誘電体保護層形成用導電性焼結スパッタリングターゲット材を提供する。【解決手段】 導電性焼結スパッタリングターゲット材を、電子線マイクロアナライザーによる組織観察で、いずれも分散相として、SiO2:5〜25面積%、 ZnS:65〜90面積%、を含有し、残りが実質的に前記分散相間に存在して連続相を形成するZnO{ただし、ZnOは「100面積%-[SiO2含有量(面積%)+ZnS含有量(面積%)]」の計算結果として5〜20面積%含有]からなる組成、並びに90〜99%の理論密度比を有するホットプレス焼結体で構成する。

請求項（抜粋）：

電子線マイクロアナライザーによる組織観察で、いずれも分散相として、酸化けい素:5〜25面積%、硫化亜鉛:65〜90面積%、を含有し、残りが実質的に上記分散相間に存在して連続相を形成する酸化亜鉛{ただし、酸化亜鉛は「100面積%-[酸化けい素含有量(面積%)+硫化亜鉛含有量(面積%)]」の計算結果として5〜20面積%含有}からなる組成、並びに90〜99%の理論密度比を有するホットプレス焼結体で構成したことを特徴とする、高速成膜が可能な光記録媒体誘電体保護層形成用導電性焼結スパッタリングターゲット材。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/495 ,  C04B 35/547

FI (3件)：

C23C 14/34 A ,  C04B 35/00 J ,  C04B 35/00 T

Fターム (13件)：

4G030AA32 ,  4G030AA47 ,  4G030AA56 ,  4G030BA01 ,  4G030CA01 ,  4G030GA29 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BD00 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC34