特許

J-GLOBAL ID：200903059522256161

絶縁ゲイト型半導体装置の作製方法

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
代理人 (1件)： 中村 和年
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-317413
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164885
出願日： 1990年11月10日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】不純物の拡散を防止し、信頼性の高い薄膜絶縁ゲイト型半導体装置を提供すること。【解決手段】本発明によると、絶縁性基板上に設けられた複数の絶縁膜で構成される絶縁層と、前記絶縁層上に設けられた半導体層と、を有する薄膜絶縁ゲイト型半導体装置において、前記絶縁層の前記半導体層に接する絶縁膜は、リンが1×1019〜5×1020cm-3含まれた酸化珪素膜であることを特徴とする薄膜絶縁ゲイト型半導体装置が提供される。

請求項（抜粋）：

基板上に絶縁膜をスパッタリング法で形成し、前記絶縁膜上に半導体膜をスパッタリング法で形成し、前記半導体膜上にゲイト絶縁膜をスパッタリング法で形成することを特徴とする絶縁ゲイト型半導体装置の作製方法。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/322 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 29/78 617 S ,  H01L 21/283 L ,  H01L 21/316 Y ,  H01L 21/322 R ,  H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭57-104260