半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：北野好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-215652
公開番号（公開出願番号）：特開平10-065153
出願日： 1996年08月15日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】シャロートレンチ法により形成した素子分離膜を有する半導体装置において、ソース/ドレイン接合の周辺部におけるリーク電流を低減しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板10と、半導体基板10に埋め込んで形成された素子分離膜12と、素子分離膜12により画定された半導体基板10の活性領域14に形成されたMISトランジスタと、活性領域14の周縁部に形成され、MISトランジスタのソース/ドレイン接合より浅く、MISトランジスタのチャネル領域と同一導電型であり、チャネル領域より高濃度の不純物層24とにより半導体装置を構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板に埋め込んで形成された素子分離膜と、前記素子分離膜により画定された前記半導体基板の活性領域に形成されたMISトランジスタと、前記活性領域の周縁部に形成され、前記MISトランジスタのソース/ドレイン接合より浅く、前記MISトランジスタのチャネル領域と同一導電型であり、前記チャネル領域より高濃度の不純物層とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/265 , H01L 21/76

FI (3件)：

H01L 29/78 301 R , H01L 21/265 V , H01L 21/76 S

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-196488
特開平2-219272
特開平4-196488

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