特許

J-GLOBAL ID：200903059527972434

正確に定められた深さの無欠陥層を有する較正用ウエーハの製造方法および較正用ウエーハ

発明者： ウィトワット・ウィジャラナクラ
出願人/特許権者： エス・イー・エイチ・アメリカ、アイ・エヌ・シー
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-037378
公開番号（公開出願番号）：特開平8-298233
出願日： 1996年01月31日
公開日（公表日）： 1996年11月12日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 正確な無欠陥層の深さを持つ較正用の半導体シリコンウエーハを提供する。【解決手段】 容易に検出可能な微小欠陥を有する半導体シリコンバルク領域と無欠陥のエピタキシャル層からなる較正用半導体シリコンウエーハの製造方法であって、酸素微小欠陥を形成するために十分な格子間酸素濃度を有する半導体シリコン基板上に酸素微小欠陥の成長核を有しないエピタキシャル層を成長させ、前記シリコン基板中に酸素微小欠陥の核を形成させる第1の温度範囲に前記シリコン基板を保持し、前記シリコン基板中に容易に検出可能な酸素微小欠陥を成長させる第2の温度範囲に前記シリコン基板を保持し、その際前記エピタキシャル層が、微小欠陥を含む前記シリコン基板と容易に区別される無欠陥層となる。

請求項（抜粋）：

容易に検出可能な微小欠陥を有する半導体シリコンバルク領域と無欠陥のエピタキシャル層からなる較正用半導体シリコンウエーハの製造方法であって、酸素微小欠陥を形成するために十分な格子間酸素濃度を有する半導体シリコン基板を準備する工程と、前記酸素微小欠陥を形成するために十分な格子間酸素濃度を有する半導体シリコン基板上に酸素微小欠陥の成長核を有しないエピタキシャル層を成長させる工程と、前記シリコン基板中に酸素微小欠陥の核を形成させる第1の温度範囲に前記シリコン基板を保持する工程と、前記シリコン基板中に容易に検出可能な酸素微小欠陥を成長させる第2の温度範囲に前記シリコン基板を保持し、その際前記エピタキシャル層が、微小欠陥を含む前記シリコン基板と容易に区別される無欠陥層となる工程とからなることを特徴とする較正用半導体シリコンウエーハの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/66

FI (4件)：

H01L 21/02 B ,  H01L 21/322 Y ,  H01L 21/66 L ,  H01L 21/66 Z