特許

J-GLOBAL ID：200903059529764065

半導体装置の製造方法

発明者： 星野 和弘
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-014777
公開番号（公開出願番号）：特開平8-172059
出願日： 1995年01月31日
公開日（公表日）： 1996年07月02日
要約：

【要約】【構成】 枚葉式スパッタリング装置の成膜チャンバ内で共通の高融点金属よりなるターゲットを用いて3層構造のバリヤメタルを連続成膜するに際し、1層目の薄膜15と3層目の薄膜17を高融点金属膜、2層目の薄膜16を高融点金属化合物膜として成膜する。即ち、2層目の薄膜16の成膜時に化合物化したターゲットを、3層目の薄膜17の成膜時に清浄化してから、次のウェハに対する1層目の薄膜15の成膜を行う。高融点金属化合物膜としては、各種高融点金属の窒化物、炭化物、硼化物、酸窒化物が使用できる。【効果】 1層目の薄膜15が常に清浄なターゲットにて成膜されるため、ウェハ間で膜質が均一化され、Si基板とバリヤメタルの界面におけるコンタクト抵抗を低減できる。また、同一チャンバ内で連続成膜するため、スループットの向上、クリーンルームの省スペース化を達成でき、コストも削減できる。

請求項（抜粋）：

枚葉式スパッタリング装置の成膜チャンバ内で共通のターゲットを用いてスパッタリングおよび反応性スパッタリングを行うことにより、基体上に複数の薄膜を連続成膜する半導体装置の製造方法において、前記複数の薄膜のうち、最下層の薄膜と最上層の薄膜との種類を同一とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/30 574 ,  H01L 21/88 R