ウエットエッチングシステム

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：細井貞行 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-020577
公開番号（公開出願番号）：特開2003-224106
出願日： 2002年01月29日
公開日（公表日）： 2003年08月08日
要約：

【要約】【課題】エッチング処理中にエッチング液を圧送循環する循環経路からエッチング液の一部を外部に取り出しながら該液中のSiO2を強制的に析出させて回収することにより、エッチング液中のSiイオン濃度を一定濃度にコントロールしてエッチング液のライフを長く、しかもSi3N4膜とSiO2膜のエッチング選択比を一定に管理維持しながらエッチング処理を可能にしたウエットエッチングシステムを提供する。【解決手段】Si3N4膜及びSiO2ゲート酸化膜が形成された半導体材料Wをエッチング槽1内の燐酸からなる高温エッチング液Mに没入浸漬させて前記Si3N4膜を選択的にエッチング除去するウエットエッチングシステムにおいて、エッチング槽1内のエッチング液1を圧送循環する循環経路2の経路途中からエッチング槽1に向けてエアー抜き経路6を分岐配管し、該エアー抜き経路6にエッチング液M中に生成されるSiO2を、冷水又は空冷及び酸化により強制的に析出させて回収除去する回収装置7を接続装備することにより、エッチング処理中にSiO2を除去するエッチング液Mの精製を可能にした。

請求項（抜粋）：

半導体材料を没入浸漬させて収容するエッチング槽内の高温エッチング液を槽外に循環経路を通して取り出し、該循環経路の経路途中にて濾過、再加熱しながら槽内に戻すエッチング液の圧送循環を繰り返しながらシリコンナイトライド膜及びシリコン酸化膜が形成された半導体材料上の前記シリコンナイトライド膜を選択的にエッチング除去するウエットエッチングシステムにおいて、上記循環経路の経路途中からエッチング槽に向けてエアー抜き経路を分岐配管し、該エアー抜き経路の経路途中にはエッチング液中に生成されるシリコンを回収する回収装置を接続装備せしめてなることを特徴とするウエットエッチングシステム。

Fターム (5件)：

5F043AA35 , 5F043DD07 , 5F043EE01 , 5F043EE23 , 5F043EE33

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