特許

J-GLOBAL ID：200903059533941230

半導体装置

発明者： 森 剛 ,  豊田 吉彦
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-149444
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343875
出願日： 2001年05月18日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：

【要約】【課題】 信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体装置は、半導体基板1と、半導体基板1の上に形成されたキャパシタ150とを備える。キャパシタ150は、上部導電層160と、誘電体層107と、下部導電層170とを含む。半導体装置は、第1の層間絶縁膜105を備える。上部導電層160の側面160sに沿って延在する誘電体層107の部分は、側壁105aと接触する。誘電体層107は、上部導電層160の側面160s近傍に位置する端縁107eを有する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の上に形成されたキャパシタとを備え、前記キャパシタは、底面と、その底面に連なる側面とを有する上部導電層と、前記上部導電層の底面と側面とに沿って延在する誘電体層と、前記誘電体層を介在させて前記上部導電層の底面に向い合って延在する部分を有する下部導電層とを含み、さらに、前記上部導電層が埋込まれる第1の孔を規定する側壁を有する第1の層間絶縁膜を備え、前記上部導電層の側面に沿って延在する前記誘電体層の部分は、前記第1の層間絶縁膜の側壁と接触し、前記誘電体層は前記上部導電層の側面近傍に位置する端縁を有する、半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/822 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/04

FI (3件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 21/88 S ,  H01L 21/90 A

Fターム (46件)：

5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK11 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033VV10 ,  5F033XX01 ,  5F033XX24 ,  5F033XX31 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038CD09 ,  5F038CD18 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20