応力評価方法および応力評価用試料

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-133763
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349917
出願日： 1993年06月04日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：

【要約】【目的】微細単位構造の応力解析のシミュレーションを精度良く評価することが可能な応力評価方法および応力評価用試料を提供する。【構成】応力評価用試料Sは、半導体ウェハ1における中央部の矩形領域1aに、基本構造2を同一のピッチでN個だけ反復形成した構成となっており、たとえば、半導体ウェハ1の全体に所定の厚さ(たとえば0.2μm)で薄膜を被着形成した後、エッチングによって所定の幅(たとえば1μm)のラインパターン3aを選択的に残存するようにして製作される。応力シミュレーションによって単一の基本構造2の局部的な反り量aを算出し、それをN倍することによって応力評価用試料Sの全体の反り量bを近似的に求め、実際の応力評価用試料Sにおける実測値と比較して、当該応力シミュレーションの精度を検証する。

請求項（抜粋）：

基板上の応力測定対象の一つの微細単位構造における応力をシミュレーションして変形量を求め、当該変形量をN倍することによって前記微細単位構造をN個反復形成した時の前記基板の巨視的な第1の変形量を求める第1の段階と、前記微細単位構造を前記基板上にN個反復形成し、前記基板の巨視的な第2の変形量を求める第2の段階と、前記第1および第2の変形量を照合することによって、前記シミュレーションの精度を検証する第3の段階とからなることを特徴とする応力評価方法。

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