特許

J-GLOBAL ID：200903059536555404

強誘電体メモリ装置

発明者： 中野 洋 ,  磯野 靖雄
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-210470
公開番号（公開出願番号）：特開平6-060635
出願日： 1992年08月06日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】【目的】本発明は、構造が簡素化された強誘電体メモリセルをマトリックス構成し、クロストーク防止する強誘電体メモリ装置を提供することを目的とする。【構成】本発明は、強誘電体メモリセルをn×nでマトリックス状に配置されたメモリセル部1と、Xアドレスを共通するダミーセルラインを有するXダミーセル回路2と、Yアドレスを共通するダミーセルラインを有するYダミーセル回路3と、情報を記憶・読出しするメモリセルを選択するXアドレス部4,Yアドレス部5と、前記Xアドレス部4から出力される信号を検出する検出用アンプ部6とにより構成され、読み出したいメモリセル以外のメモリセルに所定電圧を予め印加してクロストーク分の強誘電分極を引き起こしてから読み出し動作を行う強誘電体メモリ装置である。

請求項（抜粋）：

金属(M)、絶縁体(I)、金属(M)の三層構造からなるMIMトンネルスイッチもしくは両方向ダイオードのいずれかからなる2端子スイッチ部及び強誘電性を有する強誘電体キャパシタの直列回路からなるメモリセルがマトリックス状に配されたメモリセル手段と、前記メモリセル手段内の所望するメモリセルを選択するX,Yアドレス手段と、前記X,Yアドレス手段により選択されたメモリセルからの読出し動作を行う際に、全てのメモリセルに所定の電圧を印加した後、読出し動作を行う読出し手段とを具備することを特徴とする強誘電体メモリ装置。