特許
J-GLOBAL ID：200903059543919470
フォトレジスト単量体とその製造方法、フォトレジスト重合体とその製造方法、これを利用したフォトレジスト組成物、及び、半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-238953
公開番号（公開出願番号）：特開2001-117235
出願日： 2000年08月07日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：
【要約】【課題】 エッチング耐性や解像力等に優れたフォトレジスト単量体を提供する。【解決手段】 式(1a)又は式(1b)に示される化合物を単量体とする本発明のフォトレジスト重合体は、耐久性、エッチング耐性、再現性、接着性及び解像力が優れ、1G、4G及び16G DRAMの超微細パターンに適用可能なArF、KrF、VUV、EUV、E-ビーム(electron-beam)又はX線等の光源を利用したリソグラフィー工程に非常に効果的に用いることができる。【化1】R1、R2及びR3は水素であるか、炭素数C1〜C4のアルキル基である。
請求項（抜粋）：
下記式(1a)で示されるジヒドロキシ(dihydroxy)化合物、及び下記式(1b)で示されるトリカルボニル(tricarbonyl)化合物の中から選択されることを特徴とするフォトレジスト単量体。【化1】(前記式で、R1、R2及びR3は、それぞれ水素であるか置換或いは非置換された炭素数C1〜C4の直鎖又は側鎖アルキル基である。)
IPC (9件)：
G03F 7/039 601
, C07C 45/70
, C07C 45/72
, C07C 49/653
, C07C 49/743
, C08F 16/02
, C08F 16/12
, H01L 21/027
, C07B 61/00 300
G03F 7/039 601
, C07C 45/70
, C07C 45/72
, C07C 49/653
, C07C 49/743 C
, C08F 16/02
, C08F 16/12
, C07B 61/00 300
, H01L 21/30 502 R
