特許

J-GLOBAL ID：200903059551480976

半導体レーザ素子およびその製造方法

発明者： 芦田 雅由 ,  内田 智士
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 山田 義人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-154916
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354880
出願日： 1998年06月03日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【構成】 コンタクト層30をエッチングして段差部36を形成する際には、上部クラッド層26の上面全体に形成されたエッチングストップ層28によって上部クラッド層26に対するエッチングの進行が阻止される。したがって、エッチング時間を長めに設定してコンタクト層30の肉厚分を完全にエッチング除去すると、段差部36の高さがコンタクト層30の肉厚と同じ高さで均一化する。【効果】 段差部36の高さのばらつきをなくしてレーザ特性を安定させることができ、歩留りの低下を防止できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の上に積層された下部クラッド層,活性層,上部クラッド層およびコンタクト層と、前記コンタクト層の上面に形成された電極と、前記活性層に電流非注入領域を設けるために前記コンタクト層をエッチングして形成された段差部とを備える、半導体レーザ素子において、前記上部クラッド層の上面全体に形成されたエッチングストップ層をさらに備え、前記エッチングストップ層上に前記コンタクト層が形成されたことを特徴とする、半導体レーザ素子。