特許

J-GLOBAL ID：200903059552604008

薄膜容量素子

発明者： 小松 周一 ,  阿部 和秀 ,  山下 洋八
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-257824
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112082
出願日： 1992年09月28日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】 リーク電流を低減しかつ密着性の良好な薄膜容量素子を提供することを目的とする。【構成】 電荷を蓄積する誘電体層と、この誘電体層を介して対向形成された1対の電極とを備えてなる薄膜容量素子において、前記誘電体層が一般式ABO3で表わされるペロブスカイト構造からなり(Aはストロンチウム、バリウム、カルシウムのうち少なくとも1種、Bはチタン、ジルコニウムのうち少なくとも1種からなる)、かつバナジウム、ニオブ、タンタル、アンチモン、ビスマス、ランタン、セリウム、プラセオジュウム、ネオジュウム、ガドリニウム、又はホロミウムのうち少なくとも1種が0.05原子%以上、0.3原子%未満含まれることを特徴とする。【効果】 リーク電流が低減し、かつ密着性が良好となる。

請求項（抜粋）：

電荷を蓄積する誘電体層と、この誘電体層を介して対向形成された1対の電極とを備えてなる薄膜容量素子において、前記誘電体層が一般式ABO3 で表わされるペロブスカイト構造からなり(Aはストロンチウム、バリウム、カルシウムのうち少なくとも1種、Bはチタン、ジルコニウムのうち少なくとも1種からなる)、かつバナジウム、ニオブ、タンタル、アンチモン、ビスマス、ランタン、セリウム、プラセオジュウム、ネオジュウム、ガドリニウム、又はホロミウムのうち少なくとも1種が0.05原子%以上、0.3原子%未満含まれることを特徴とする薄膜容量素子。

IPC (5件)：

H01G 4/06 102 ,  H01G 4/10 ,  H01G 4/12 415 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/108