特許

J-GLOBAL ID：200903059565196049

半導体装置の製造方法

発明者： 堀井 貞義
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (3件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-254746
公開番号（公開出願番号）：特開2006-073758
出願日： 2004年09月01日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：

【課題】 p型ドーパントであるボロンの突き抜け防止のために、高誘電膜(High-k膜)中に入れる窒素が、High-k膜とシリコン基板との界面に達するのを防止する。【解決手段】 シリコン基板400上のシリコン酸化膜411を酸化処理した後、その上にHigh-k膜412を形成する。このHigh-k膜412上にALD法などにより10Å以下の極薄のシリコン窒化膜413を形成する。その後、プラズマ活性化された窒素含有ガスによりシリコン窒化膜413を窒化処理してHigh-k膜412の表面を窒化する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

金属酸化膜またはシリケート膜を形成する工程と、 該金属酸化膜またはシリケート膜上に、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜、又はシリコン酸窒化膜のいずれかのシリコン膜を形成する工程と、 前記シリコン膜をプラズマ窒化処理する工程と を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/318 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L21/318 M ,  H01L29/78 301G

Fターム (32件)：

5F058BA01 ,  5F058BA05 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF06 ,  5F058BF24 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BF52 ,  5F058BF73 ,  5F058BF74 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA28 ,  5F140BA01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BD15 ,  5F140BD17 ,  5F140BE10 ,  5F140BE17 ,  5F140CE10

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-187596   出願人：日本電気株式会社
• 絶縁体薄膜の製造方法と絶縁体薄膜および半導体装置の製造方法と半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-347931   出願人：ソニー株式会社