特許
J-GLOBAL ID：200903059567821021
フォトマスク
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-118123
公開番号（公開出願番号）：特開平6-332151
出願日： 1993年05月20日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウエーハの回路形成領域に転写される回路配線パターンと、半導体ウエーハのTEG領域に転写される断線チェックパターンとの加工精度を低減し、両者間のパターン精度を高めることが可能なフォトマスクを提供することにある。【構成】 櫛歯形状で形成された第1光透過パターン3Aの第1櫛歯部3A1 間に、この第1光透過パターン3Aと同一形状で形成された第2光透過パターン3Cの第2櫛歯部3C1 が配置され、前記第1光透過パターン3Aと第2光透過パターン3Cとの間に連続した第3光透過パターン3Bが配置され、前記第1光透過パターン3A上及び第2光透過パターン3C上若しくは第3光透過パターン3B上に位相シフタ層4が配置された構造の配線チェックパターン3を有するフォトマスク1。
請求項（抜粋）：
櫛歯形状で形成された第1光透過パターンの第1櫛歯部間に、この第1光透過パターンと同一形状で形成された第2光透過パターンの第2櫛歯部が配置され、前記第1光透過パターンと第2光透過パターンとの間に連続した第3光透過パターンが配置され、前記第1光透過パターン上及び第2光透過パターン上若しくは第3光透過パターン上に位相シフタ層が配置された配線チェックパターンを有することを特徴とするフォトマスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 301 V
