特許

J-GLOBAL ID：200903059568176278

薄膜形成装置

発明者： 松崎 光 ,  小林 清輝
出願人/特許権者： 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社 ,  三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-002206
公開番号（公開出願番号）：特開平6-208958
出願日： 1993年01月11日
公開日（公表日）： 1994年07月26日
要約：

【要約】【目的】 基板、たとえば半導体基板等に、異物による汚染の少ない良質の膜質の薄膜を形成でき、また、薄膜の膜厚を均一に形成することのできる薄膜形成装置を提供する。【構成】 反応ガスを含むガスを基板上に導入して加熱雰囲気下において、基板40に薄膜を形成する薄膜形成装置100であって、密封容器110と、密封容器110の下部に設けられ、基板40上に導入された上記ガスを密封容器110外へ排出するガス排出手段110h、111と、密封容器110内に収容され、基板40を収容する反応管120と、反応管120内へ直接上記ガスを導入するガス導入手段120i、121と、反応管120内へ導入された上記ガスを密封容器110と反応管120とにより形成される隙間部130内の上方へ導くガス誘導手段120aと、反応管120内に設けられ、ガス導入手段120iに接続して設けられ、基板40上に上記ガスを均一に供給するためのガス供給ヘッド手段180とを備える。

請求項（抜粋）：

反応ガスを含むガスを基板上に導入して加熱雰囲気下において、前記基板に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、密封容器と、前記密封容器の下部に設けられ、前記基板上に導入された前記ガスを前記密封容器外へ排出するガス排出手段と、前記密封容器内に収容され、前記基板を収容する反応管と、前記反応管内へ直接前記ガスを導入するガス導入手段と、前記反応管内へ導入された前記ガスを前記密封容器と前記反応管とにより形成される隙間部内の上方へ導くガス誘導手段と、前記反応管内に設けられ、かつ、前記ガス導入手段に接続して設けられ、前記基板上に前記ガスを均一に供給するためのガス供給ヘッド手段とを備える、薄膜形成装置。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  B01J 19/00 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/31

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-267802
  
• 特開昭52-026024