特許

J-GLOBAL ID：200903059569169720

磁気センサー及びこの磁気センサーを使用した装置

発明者： 菊地 英幸 ,  佐藤 雅重 ,  小林 和雄
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-268732
公開番号（公開出願番号）：特開平11-112054
出願日： 1997年10月01日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：

【要約】【課題】 消費電力が少なく、かつ、磁気抵抗変化率が大きい磁気センサー及びそれを使用した無接点エンコーダを提供する。【解決手段】 基板6の上に、下部強磁性金属層13/絶縁層14/上部強磁性金属層15からなる接合12を有する強磁性トンネル接合素子を複数形成し、各接合を直列に接続してセンサー素子11を構成する。高抵抗の強磁性トンネル接合素子を直列接続することにより、センサー素子の電気抵抗値が高くなるので、消費電力を抑制することができる。また、直列接続されることにより各接合の印加電圧が低くなるので、強磁性トンネル接合素子を磁気抵抗変化率の高い低電圧で動作させることができる。

請求項（抜粋）：

基板と、下部強磁性金属層/絶縁層/上部強磁性金属層からなる接合を有する強磁性トンネル接合素子が前記基板上に複数形成され、かつ、前記複数の強磁性トンネル接合素子が直列に接続されることにより電気抵抗値が高抵抗とされた素子からなり、磁界の変化を抵抗の変化に変換するセンサー素子とを具備する磁気センサー。

IPC (4件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/33 ,  G01B 7/00

FI (4件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/33 ,  G01B 7/00 J ,  G01R 33/06 R