特許
J-GLOBAL ID：200903059572701484
シリコン単結晶の製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小杉 佳男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-095311
公開番号（公開出願番号）：特開平5-294782
出願日： 1992年04月15日
公開日（公表日）： 1993年11月09日
要約：
【要約】【目的】CZ法によるシリコン単結晶の製造において、多結晶の析出や成長速度増大による結晶変形等を抑え、低酸素濃度のシリコン単結晶の安定的な引上げを達成する。【構成】融液2の表面上方に同心円状の多段のサブヒータ5を設置することにより、ルツボ1の壁の温度を下げても適切な融液表面の温度分布を得る。
請求項（抜粋）：
シリコン融液表面の上方に、それぞれ温度制御可能な同心円状の多段のサブヒータを備えたことを特徴とするシリコン単結晶の製造装置。
IPC (3件)：
C30B 15/14
, C30B 29/06 502
, H01L 21/208
