特許
J-GLOBAL ID：200903059573674669
フローティングゲート型メモリセル及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-197092
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190868
出願日： 1992年07月23日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：
【要約】【目的】 フローティングゲートに高融点金属を含み、チャネル内ほう素をソース側で低濃度とすることにより降伏電圧及びパンチ・スルー抵抗を向上し、またシリコン粒界りん偏析を回避して高耐久性、高信頼性メモリセルを得る。【構成】 集積回路メモリセルは、シリコン半導体基板22の面にアレイに形成され、高融点金属フローティングゲート13と、その上にこれから絶縁された随意選択的高融点金属制御ゲート14とのスタックを含み、フローティングゲート13から絶縁され下に横たわるチャネル領域Ch内にりんドープ打ち込み後、スタック側壁面に対して垂直から傾斜した方向からほう素ドープ打込みし、高融点金属によりチャネル領域内ほう素をソース11側近くで低濃度、ドレイン12側近くで高濃度とし、ソース接合降伏電圧を向上する一方、パンチ・スルー抵抗を向上し、また多結晶シリコン粒界のりん偏析を回避する。
請求項（抜粋）：
フローティングゲートと該フローティングゲートの下に横たわりかつ該フローティングゲートから絶縁されたチャネル領域を有する型式のメモリセルであって、前記フローティングゲートは前記チャネル領域の導電率を制御するために充電可能であり、かつ高融点金属を含む、メモリセル。
IPC (3件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
