特許
J-GLOBAL ID：200903059574191033
被膜形成装置および被膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-190030
公開番号（公開出願番号）：特開平8-030968
出願日： 1994年07月19日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：
【要約】【目的】カソード側に配置された導電性の基体表面にDLC膜の成膜を行なう。【構成】15〜100Torrの圧力で、かつ電極間隔を6mm以下とすることにより、高密度のプラズマを形成し、アノード側にイオンシースを形成する。そして、イオンのボンバードメントを利用してDLC膜を形成する。また成膜中において、基体に対して超音波振動を与えつつ成膜を行う。
請求項（抜粋）：
電磁エネルギーが印加される第1の電極と、接地された第2の電極を対向して配置し、高周波電界の印加により、該第1および第2の電極間でプラズマを生成し、該プラズマ中に導入した原料ガスを活性化せしめて被膜を形成する被膜形成装置において、前記第1の電極と第2の電極の間隔は6mm以下であり、かつ、前記電極間の圧力は15Torrから100Torrの間であることを特徴とする被膜形成装置。
IPC (4件)：
G11B 5/84
, C23C 16/26
, C23C 16/50
, H05H 1/46
