特許

J-GLOBAL ID：200903059576039522

透明導電膜を有する電子装置の製造方法

発明者： 星野 淳之 ,  渡辺 和廣 ,  坂本 武志
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-132773
公開番号（公開出願番号）：特開平5-323377
出願日： 1992年05月25日
公開日（公表日）： 1993年12月07日
要約：

【要約】【目的】 電極の少なくとも一部として透明導電膜を利用する電子装置の製造方法に関し、配線材料として最も低抵抗で好ましいAlを用いて透明導電膜およびAlの劣化を起こさない透明導電膜を有する電子装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 酸化物半導体からなる透明導電膜と、Al膜と、Alとの組合せによる接触腐蝕電流密度が前記透明導電膜とAlとの組合せによる接触腐蝕電流密度より大きい金属とを電気的に接続された状態で積層する工程と、ホトリソグラフィの技術を用いて前記積層の少なくとも一部をパターニングする工程とを含む。

請求項（抜粋）：

酸化物半導体からなる透明導電膜(12)と、Al膜(14)と、Alとの組合せによる接触腐蝕電流密度が前記透明導電膜(12)とAlとの組合せによる接触腐蝕電流密度より大きい金属(15)とを電気的に接続された状態で積層する工程と、ホトリソグラフィの技術を用いて前記積層(12、14、15)の少なくとも一部をパターニングする工程とを含む透明導電膜を有する電子装置の製造方法。

IPC (4件)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/00 ,  H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-265233
  
• 特開平4-020930
  
• 特開昭62-285464