特許

J-GLOBAL ID：200903059576975830

半導体装置の配線コンタクトの製造方法

発明者： 伊藤 眞宏
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-087091
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291172
出願日： 1992年04月08日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、半導体装置における下層配線層(あるいは同等の層)と上層配線とのコンタクト部の形成方法に関するもので、下層の表面に製造時発生する自然酸化膜を除去することを目的とするものである。【構成】 前記目的のため本発明は、下層配線(あるいはそれ相当の層)2の表面をまず非晶質層5にして、それを再結晶化層7にすることにより、前記下層配線層表面にできた自然酸化膜6を除去(熱処理による再結晶化の際、酸化膜6は寸断される)するようにしたものである。

請求項（抜粋）：

半導体装置における半導体層あるいは下層配線層と上層配線層とのコンタクト部の形成に当たって、(a)結晶性の第1配線層あるいはそれに相当する層を非晶質層にする工程と、(b)前記非晶質層を再結晶化する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の配線コンタクトの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/90

FI (2件)：

H01L 21/265 Q ,  H01L 21/265 A