特許
J-GLOBAL ID：200903059581049676
スパッタリング用W-Tiターゲットの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
倉内 基弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-358776
公開番号（公開出願番号）：特開平6-200370
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月19日
要約：
【要約】【目的】 水素化及び脱水素工程を省略することができ、所定の酸素水準を維持しつつ今後のW-Tiターゲット結晶組織の均一微細化への要求に対処しうるW-Tiターゲットの製造方法を確立する。【構成】 80〜99重量%タングステン粉末及び1〜20重量%チタン粉末をメカニカルアロイングにより10μm以上の寸法の粒子からなる合金粉末とし、該合金粉末をホットプレスすることを特徴とするW-1〜20重量%Tiスパッタリング用ターゲットの製造方法。メカニカルアロイングにおいては、W-Ti混合粉の急激な微細化と凝集が繰り返し起こり、サブミクロン以下に微細化した各原料粉からなる粒径が数十ミクロンの凝集体が形成され、凝集粉は次第に等軸形状になり、内部では原料混合粉の均一化が進み、原子レベルの混合となり、合金化する。ホットプレス温度を従来より低くすることができる。ターゲット内に含まれるTiリッチ相の最大粒径は約2μmを超えない。
請求項（抜粋）：
W-1〜20重量%Tiからなるスパッタリング用ターゲットの製造方法において、80〜99重量%タングステン粉末及び1〜20重量%チタン粉末をメカニカルアロイングにより10μm以上の寸法範囲の粒子からなる合金粉末とし、該合金粉末をホットプレスすることを特徴とするW-1〜20重量%Tiスパッタリング用ターゲットの製造方法。
IPC (3件)：
C23C 14/34
, C22C 1/04
, C22C 27/04 101
